Поиск по Desings:


Авторизация:
Гость

Сообщения:

Группа:
Гости
Время:15:09

Гость, мы рады вас видеть. Пожалуйста зарегистрируйтесь или авторизуйтесь!
Логин
Пароль
Дополнительное Меню:
Активная Реклама:
UniSite Platform - Современная система управления web-сайтами.
Главная » 2012 » Апрель » 19 » TSMC рассматривает возможность перехода на 18 нм и 16 нм технологии
15:01
TSMC рассматривает возможность перехода на 18 нм и 16 нм технологии
TSMC 18 and 16 nm

О том, что компания TSMC стремится предоставлять своим клиентам несколько разновидностей каждого техпроцесса, можно судить хотя бы по схеме сотрудничества с холдингом ARM. В рамках 28 нм технологии, например, предлагаются четыре разновидности техпроцесса, позволяющие выпускать микросхемы с разным уровнем быстродействия и энергопотребления.

Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления вице-президента TSMC Шан'и Цзяна (Shang-yi Chiang), в рамках 20 нм технологии компания предложит клиентам только одну разновидность техпроцесса. Изначально планировалось, что их будет две, но дальнейшие исследования заставили TSMC придти к выводу, что различия между микросхемами, получаемыми по двум разновидностям 20 нм техпроцесса, минимальны в силу высокой плотности размещения полупроводников и их малых физических размеров. Было принято решение осваивать только одну разновидность 20 нм технологии. При освоении этой ступени будут применяться материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлизированным затвором.

Ожидается, что массовое производство микросхем по 20 нм технологии будет освоено в следующем году. Если промышленность предложит соответствующий инструментарий, то TSMC планирует освоить выпуск 14 нм микросхем к 2015 году. Ожидается, что в рамках этого техпроцесса будут использоваться транзисторы с трёхмерной структурой, которые Intel уже внедрила на этапе освоения 22 нм технологии.

Для перехода на 14 нм техпроцесс может потребоваться внедрение сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), но производители литографического оборудования пока не могут решить некоторые технические проблемы, препятствующие его серийному производству. Освоить 14 нм техпроцесс на имеющемся оборудовании, использующем лазер с длиной волны 193 нм и иммерсионную литографию, вряд ли получится без экономически неоправданных затрат.

Представители TSMC заявляют, что в качестве запасного варианта рассматривают возможность перехода на технологические нормы 18 нм или 16 нм. Очевидно, решение будет принято позднее, когда определятся технологические возможности производителей литографического оборудования.

Источник: Overclockers
Категория: Новости ИТ |Просмотров: 372 |Добавил: desings
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Copyright Desings. Все материалы на сайте,принадлежат их владельцам и предоставляются исключительно в ознакомительных целях. Используются технологии uCoz
Счетчик PR-CY.Rank Рейтинг@Mail.ru